奈米線UV LED燈珠打敗功率衰減問題
沙特阿拉伯阿布杜拉國王科技大學的研討人員在《光學快遞》（Optics Express）刊中宣告壹種規劃紫外UV LED燈珠的新途徑，能讓依據氮化鋁鎵（AlGaN）的UV LED燈珠功率不至於衰減。
該研討的壹項幽默之處在於選用鈦塗覆的低成本矽基板來生長奈米線，這不僅能讓制程變得易於擴展，還能結合鈦金屬層帶來的許多優勢，包括更高的UV反射、更好的熱耗散，以及改善流註入。
依據氮化鋁鎵（AlGaN)的UV LED燈珠存在較低的內部量子功率、低擷取功率、低摻雜功率、極化電場大以及差排密度外延高檔缺陷，這些都約束了UV LED燈珠在高功率的運用。
研討人員壹開始選用鈦掩蓋的矽晶圓以及依托電漿輔佐的分子束外延（PAMBE），使其得以生長有用隔絕的無缺陷矽摻雜氮化鎵（GaN）奈米線，其間每壹個都嵌入10個均勻構成AlGaN／AlGaN量子磁盤（Qdisk）的庫房。
雖然每壹發射奈米線的直徑約8nm、長約350nm，但在實踐的實驗中，肉眼可見的大型LED燈珠是由壹整區布滿堆積的垂直擺放奈米線（以大約9x109 cm＾?2的密度）所組成。
該組件在鈦塗覆的n型矽基板上生長，以改善電流註入與熱耗散，它們在337nm （具有11．7nm的窄線寬）時發射UV光源，其電流密度為32A ／ cm＾2 （在0．5×10 ．5mm＾2組件上約80mA），導通電壓約為5．5V。
在高達120A／cm＾2的註入電流下，AlGaN奈米線UV LED燈珠仍能堅持功率毫無衰減地作業。
